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多量子阱VCSEL速率方程的数值模拟分析 被引量：5

Numerical Simulation Analysis of Rate Equation for Multi-quantum Well VCSELs
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摘要 采用光增益与载流子浓度的对数关系,考虑到非辐射复合的影响,从理论上推导出多量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的速率方程。讨论了阈值电流密度、最佳阱数与器件参数(腔长和端面反射率)之间的关系,为改善VCSEL阈值特性和优化器件结构提供了理论依据。 Based on the logarithmic relation of gain on carrier density, the rate equations are described for multi-quantum well of vertical cavity surface emitting lasers （VCSELs） taking into account the influence of nonradiative depopulation rate. The relation of device parameter（cavity length and the reflect coefficient of mirror） on threshold current and quantum well numbers are discussed. It will provide theoretical basis for improvement of threshold property optimization of device construction.
作者 吴文光 范广涵 沈为民 金尚忠 徐时清
机构地区 中国计量学院信息工程学院光电子系 华南师范大学光电子材料与技术研究所
出处 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期651-654,共4页 Semiconductor Optoelectronics
基金 国家科技攻关项目(00-068)
关键词 垂直腔面发射半导体激光器 多量子阱 阈值电流密度 VCSEL multi-quantum well threshold current density
分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

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引证文献5

二级引证文献5

半导体光电
2007年 第5期

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