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聚硅烷在XeCl准分子激光作用下光降解及亚微米光刻的研究 被引量:3

SYNTHESIS AND CRYSTAL STRUCTURE STUD
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摘要 采用308nmXeCl准分子激光研究了聚硅烷溶液和聚硅烷薄膜的光降解反应,利用玻璃片为基底,旋转涂布,分别以酚醛树脂和聚氨酯为平坦层,以聚硅烷为成像层和阻挡层,构成双层工艺,进行接近式曝光,用混合溶剂显影,并通过O2-RIE处理,最终得到了亚微米的光刻图形.
出处 《四川大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1997年第4期489-492,共4页 Journal of Sichuan University(Natural Science Edition)
基金 国家自然科学基金
  • 相关文献

参考文献2

  • 1吴健昌,半导体技术,1991年,3卷,47页
  • 2Zhang Xinhua,J Polym Sci Polym Chem Ed,1984年,22卷,159页

同被引文献3

  • 1[1]Pliskin W A.Advances in deposition processes for passivation[J].J.Vac.Sci.Technol.,1977,14(5):1064.
  • 2[4]厦门大学物理系半导体物理教研室.半导体器件工艺原理[M].第二版.北京:人民教育出版社,1979.395.
  • 3谢茂浓,傅鹤鉴.聚硅烷(紫外光敏材料)的氧等离子体处理特性[J].Journal of Semiconductors,1999,20(6):525-528. 被引量:4

引证文献3

二级引证文献4

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