摘要
对p型金刚石薄膜上Ti/Au结构(金刚石-Ti/Au结构)的政姆接触和界面特性进行了研究。采用微波等离子体CVD方法在Si基片上制作出掺硼的金刚石薄膜,然后在金刚石薄膜表面上蒸发Ti/Au双层金属以形成接触电极。样品经700℃下氩气氛中热处理50min,可得到线性变化的I-U特性和比接触电阻率为2×10-4Ωcm2的欧姆接触。还采用X射线衍射图谱来分析金刚石薄膜与Ti/Au的界面,结果揭示了在金刚石-Ti/Au结构中形成欧姆接触的条件与规律。
出处
《真空科学与技术》
CSCD
北大核心
1997年第4期283-286,共4页
Vacuum Science and Technology
基金
国家自然科学基金