摘要
近年来,国际上已研制成功GaN基蓝光LED和LD器件。为了获得高质量的GaN薄膜,必须要求基片材料具有良好的晶格匹配、优良的热稳定性和化学稳定性以及良好的机械性能等优点。MgAl2O4晶体是目前性能优良的GaN基片材料之一。我们采用中频感应加热提拉法生长MgAl2O4晶体,使用80×70mm的铱钳埚,拉速0.5~3mm/h,转速15~30r/min。针对MgAl2O4晶体高熔点(2130℃)和MgO易挥发的特性,设计了特殊的温场结构和原料合成工艺,已成功地生长出<111>取向、最大直径达45mm的MgAl2O4晶体,晶体无云层、无气泡、无孪晶、无开裂,质量优良。已提供给国内外有关单位使用,他们已在我们的MgAl2O4晶片上获得高质量的GaN膜,并研制成功蓝光LED和LD。
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第3期319-319,共1页
Journal of Synthetic Crystals