我国量子点单光子发射器件研究获得重要突破

中科院半导体所超晶格国家重点实验室成功实现了量子点的单光子发射：8K温度下脉冲激光激发InAs单量子点，采用HBT（Hanbury Brown—Twiss）延时复合计数光谱测试系统观察到波长950nm的单光子发射．发射速率大于10kHz。这是国内半导体量子点单光子发射器件研究的重要进展。