期刊文献⁺

任意字段

题名或关键词

题名

关键词

文摘

作者

第一作者

机构

刊名

分类号

参考文献

作者简介

基金资助

栏目信息

元器件与组件

Components ＆ Subassemblies

下载PDF

导出

摘要 PPTC电流过载保护器件,晶闸管浪涌保护器件,基于SiGeC BiCMOS工艺的微波NPN晶体管，可单独控制红色。

出处《今日电子》 2007年第12期119-120,共2页 Electronic Products

关键词元器件 BICMOS工艺组件过载保护器件浪涌保护器件 NPN晶体管 SIGEC PPTC

分类号 TN6 [电子电信—电路与系统]

引文网络
相关文献

1张跃,曹剑武.广播电视系统防雷浅析[J].中国有线电视,2007(16):1485-1487. 被引量：1
2一凡.离子束法生长半导体晶体[J].电子材料快报,1995(9):1-1.
3安志勇,徐新国.PPTC在扬声器系统分频器上的运用[J].电声技术,2012,36(10):21-22.
4Frank Owen.PPTC过流保护的应用[J].电子设计应用,2003(4):72-73. 被引量：1
5安森美半导体推出新的晶闸管浪涌保护器件系列[J].电源技术应用,2007,10(12):29-29.
6安森美半导体推出新的晶闸管浪涌保护器件系列[J].电子测试,2007,18(12):91-91.
7赵雷,左玉华,王启明.SiGeC三元合金的研究进展[J].微纳电子技术,2004,41(7):1-9. 被引量：1
8石方安,周云仙.浪涌保护器件的测试和试验方法(一)[J].真空电子技术,1989,2(6):57-61.
9石方安,周云仙.浪涌保护器件的测试和试验方法(续二)[J].真空电子技术,1990,3(1):42-55.
10浪涌能力达100A的晶闸管浪涌保护器件[J].国外电子元器件,2004(7):78-78.

今日电子

2007年第12期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...

;

使用帮助返回顶部