半导体学报2007年第28卷总目次
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS 2007 Vol.28 CONTENTS
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1李雪,王海龙,胡敏,贾召赛,曹鑫.电场对InAs/InAlAs圆形截面量子线中激子态的影响[J].通信技术,2021,54(4):809-814.
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2Teledyne e2v HiRel的650 V系列产品新增两款大功率GaN HEMT[J].世界电子元器件,2021(1):34-34.
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3Infineon IGOT60R070D1 600 V增强GaN功率晶体管应用方案[J].世界电子元器件,2020(12):34-37.
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4郑大农,苏向斌,徐应强,牛智川.高倍增低暗电流AlInAsSb四元数字合金雪崩光电二极管[J].红外与毫米波学报,2021,40(2):172-177. 被引量：3
