摘要
11月16日,英特尔公司全球同步发布创新的45纳米High-K制程技术及处理器新产品。戈登·摩尔先生给予了这项技术极高的评价:"采用High-K栅介质和金属栅极材料,是自上世纪60年代晚期推出多晶硅栅极金属氧化物半导体(MOS)晶体管以来,晶体管技术领域里最重大的突破!"45纳米的技术突破是怎样实现的呢?首先是创造性地使用了全新半导体材料。芯片上晶体管的密度越来越高,管脚距离只有几个原子那么宽,为了保证不漏电,英特尔45纳米技术使用了基于铪的高-k栅介质和金属栅极晶体管材料,一改使用了近40年的多晶硅栅极金属氧化物半导体材料,在取得更高运算性能的同时,极大减少了漏电,从而功耗进一步下降,芯片散热问题也得到极大改善。这项改进如果没有发现铪材料是不可能实现的。这是对于晶体管材料技术在50年前半导体材料发明以来最大的一个突破,这是非常难以置信的。正是High-K这项技术创新再次延续了摩尔定律,使之在未来10年继续有效。
