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击穿电压高于20KV的超高压硅PN结
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作者
Astr.,EV
陈力才
出处
《国外电力电子技术》
1990年第3期42-43,共2页
关键词
硅PN结
超高压
击穿电压
20KV
分类号
TN335 [电子电信—物理电子学]
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1
孙桂莲.
超高压半导体器件—击穿电压超20KV的硅P—N结[J]
.电子工程师,1990(2):13-14.
国外电力电子技术
1990年 第3期
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