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镶嵌在SiO_2薄膜中的锗纳米晶粒的光致发光 被引量:10

Visible Photoluminescence of Ge Nanocrystallites Embedded in SiO 2 Thin Film
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摘要 采用630nm波长的激发光在室温下对镶嵌有锗纳米晶的SiO2薄膜进行了光致发光研究。在室温下观察到了由于双光子吸收而导致的蓝色荧光峰。按照量子限域理论对所观察到的峰的特征进行了讨论。 A SiO 2 thin film embedded with Ge nanocrystallites was selected for the photoluminescence measurement at room temperature(RT) with exciting beam of 630nm. Visible peaks in blue region, which were caused by two photon absorption, were clearly observed at RT. The feature of the peaks was discussed according to quantum confinement effect.
出处 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第5期477-478,共2页 Journal of Functional Materials
基金 国家自然科学基金
关键词 量子点 纳米晶 二氧化硅 光致发光 半导体 quantum dots. photoluminescence, semiconductor
  • 相关文献

参考文献2

  • 1廖良生,科学通报,1996年,41卷,94页
  • 2岳兰平,科学通报,1995年,40卷,378页

同被引文献75

引证文献10

二级引证文献27

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