SMI硅微结构超低压力传感器

SMI Mic-Structure Silicon Superlow-Pressure Sensor

压力传感器技术虽然建立和发展得较早,但由于价格昂贵、输入一输出特性非线性严重以及难以敏感微小的压力,因而仍难以适应当前飞速发展的广泛需要.美国Silicon Microstructures INC.(SMI-EXAR公司的一个全资子公司)开发了一系列低价位、线性度在0.1%到0.05%范围内的硅微结构压阻式低压传感器,满量程为0.3、0.5、0.8、1.5、3(psi);最低满量程为0.15(psi)(0.01kg/cm^2,10mbar或1kPa),被列为超低压力测量范围.本文简述了硅微结构和SMI的技术优势,着重叙述SMI产品SM5500系列中低压力传感器SM5551、SM5552的性能指标和应用技术.

This paper introduces advantage of silicon microstructure and technology of SMI Inc. The emphasis of this paper is at the performance and application of SM5551 and SM 5552 produced by SMI Inc.