256M/1G DRAM工艺及前道制造设备被引量：1

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摘要介绍２５６Ｍ／１ＧＤＲＡＭ产品技术指标、工艺及前道制造设备，包括光刻机、腐蚀设备、离子注入设备、热处理设备。

作者翁寿松

机构地区中国华晶电子集团公司无锡市无线电元件四厂

出处《电子工业专用设备》 1997年第2期12-18,共7页 Equipment for Electronic Products Manufacturing

关键词 256M/1G DRAM 设备半导体制造工艺光刻

引证文献1

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电子工业专用设备

1997年第2期

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