道康宁与东京应用化学合作开发的新型硅晶注入式双层光阻获使用于记忆体晶片的制造

新光阻能免除硬光罩层的制程及提供更佳的蚀刻选择性让半导体制程更简单、成本更低。 全球材料、应用技术及服务的综合供应商,美国道康宁公司与东京应用化学（Tokyo Ohka Kogyo）日前宣布，两家公司合作开发的新型双层光阻己获得一家领先业界的DRAM晶片制造商的采用，将首度用来量产记忆体晶片。这种新型双层光阻将道康宁硅聚合物用于成像层（imaging layer），以提供较目前市场上其它产品更佳的蚀刻选择性。