用等离子体辅助激光蒸发淀积法制备超导薄膜

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摘要一、引言目前,全世界许多超导研究组已将注意力集中到制备高 T。超导体的各种技术上。利用各种新技术制备的新材料薄膜至少要满足超导电予应用的两个基本条件,即高临界电流密度和高零电阻转变温度。为了研究与制造器件不仅要求这些薄膜稳定,具有光滑的表面和清晰的界面,还必须能制造多层结构,例如约瑟夫森结。溅射、多源电子束蒸发均能制备出有高 J_0和高 T_0的超导薄膜,但所制备的薄膜都必须在800～900℃温度下进行氧化退火处理,

作者景俊海孙青

机构地区西安电子科技大学

出处《国外激光》 CSCD 1990年第7期28-29,共2页

关键词超导薄膜淀积法激光蒸发等离子

分类号 TM26 [一般工业技术—材料科学与工程]

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国外激光

1990年第7期

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