氮化镓基激光器研制成功
出处
《系统工程与电子技术》
EI
CSCD
北大核心
2007年第12期2005-2005,共1页
Systems Engineering and Electronics
-
1中科院半导体所“氮化镓基激光器”通过验收[J].中国集成电路,2008,17(1):9-9.
-
2我国氮化镓基激光器研究获重大突破[J].新材料产业,2004(11):59-59.
-
3我国ZnO基材料与器件研究获重要进展[J].山东陶瓷,2011,34(3):30-30.
-
4我国ZnO基材料与器件研究获重要进展[J].现代材料动态,2011(8):20-20.
-
5我国ZnO基材料与器件研究获重要进展[J].中国材料进展,2011,30(6):43-43.
-
6我国ZnO基材料与器件研究获重要进展[J].现代材料动态,2011(7):18-19.
-
7我国氮化镓基半导体激光器研究取得突破[J].科技中国,2005(3):51-51.
-
8曹淑敏.走向宽带泛在的无线移动通信[J].世界电信,2009(12):43-45. 被引量：4
-
9URE-2000系列紫外深度光刻机[J].中国集成电路,2008,17(4):20-21.
-
10理化所中国科学院知识创新工程重要方向项目“深紫外非线性光学晶体及其器件研究”通过验收[J].人工晶体学报,2008,37(2):326-326.
;
