半导体量子丝激光器

用一维量子约束已使半导体激光器性能改善。在这种普通量子阱激光器中,电荷载流子复合,并在极薄(通常小于100(?))的低带隙半导体(如 GaAs)层中发射光,低带隙层被高带隙势垒化合物(如 AlGaAa)所包裹。载流子在垂直于量子阱平面方向的量子约束下导致产生分立的能级,这种约束使光学增益的光谱轮廓变窄,从而导致阈值电流降低、调制带宽变宽、光谱线宽度变窄和温度灵敏度的下降。一维以上量子约束半导体激光器结构的发展预期会使半导体激光器的性能进一步改善,为低维半导体物理学提供新知识。