电子束纵向泵浦的CdHgTe激光器

当 x 成分变化时,固溶体 Cd_xHg_(1-x)Te 的禁带宽度由1.5eV(x=1时)变化到0(x≈0.15时)。因此用它制造在红外波段有任意给定波长(λ>0.83μm)的激光器是有意义的。光泵浦时,已在12K 温度下实现 CdHgTe 在1.2～3和9.7～9.9μm区内几个波长上的振荡。本文报导制造电子束纵向泵浦 CdHgTe 激光器的第一批结果。使用了在(111)取向的CdTe 衬底上用液相外延法生长的 Cd_(0.65)Hg_(0.35)Te/CdTe 异质结构。光学谐振腔(图1)由厚8～10μm的 CdHgTe 外延层(它由电子束激光,是谐振腔的激活部分)和厚约40μm的 CdTe 钝化层组成。谐振腔的这种结构可将谐振腔被动部分的吸收降至最小,这是制造高效率激光器的必要条件。