摘要
用金属蒸发真空弧离子源(MEVVA)引出的C^+注入了多弧离子镀TiN多层膜C^+注入TiN膜的硬度随注入量和束流密度的增加而增加.X射线分析(XRD)表明,在注入的膜中TiC相已经形成,退火前后TiN(111)和TiC(111)为优先生长相,Auger分析表明在单层TiN膜中碳原子按Gauss型分布,在多层TiN/Ti膜中注入碳原子为多峰的分布.由此可见用C^+离子注入形成Ti(C,N)/TiN/Ti(C,N)/TiN和Ti(C,N)/TiC/Ti(C,N)/TiC多层结构.这种结构的形成明显改善了TiC镀层特性.
出处
《中国科学（E辑）》
CSCD
1997年第3期206-210,共5页
Science in China(Series E)
基金
国家自然科学基金
国家"八六三"高技术计划资助项目
