高能P^+注入硅和N+Zn双注入GaAsP热退火过程中的分形生长
摘要
研究了高能P^+注入硅和Zn+N双注入GaAsP热退火过程中分形生长过程与退火温度和注入杂质电激活率的关系.分析了2种注入条件下分形生长各自的特点,讨论了分形生长和生长的机理.
出处
《中国科学（E辑）》
CSCD
1997年第4期304-309,共6页
Science in China(Series E)
基金
国家自然科学基金资助项目
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