半导体所研制成功氮化镓基激光器

中科院知识创新工程重要方向项目“氮化镓基激光器（KGCX2-SW-115）”于2007年11月26日通过专家验收。 氮化镓基半导体材料是继硅和砷化镓基材料后的新一代半导体材料，被称为第3代半导体材料，它具有宽带隙、优异的物理性能和化学性能，在光电子领域具有广泛的应用前景和研究价值。用氮化镓基半导体材料研制成的氮化镓基激光器在国防安全领域和光信息存储、激光全色显示、激光打印、大气环境检测、水下通信、双色激光探测等领域具有重要的应用价值。