常规和部分氘化KDP晶体快速生长基本工艺

晶体的氘化分布系数依赖于生长溶液，甚至当生长溶液的饱和温度和超饱和度改变时也不受影响，尺寸为９×９×１１ｃｍ。１３％氘化度的ＫＤＰ晶体已经生长，氘化率分布在±１％误差范围内保持常数，利用液体过热或声能注入的过度能量和ｐＨ值控制的方法实现了高超饱和度，ＫＤＰ晶体的生长速率达到５０ｍｍ／天以上。