期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
日矿金属开发出直径为450mm的多晶硅测试晶圆
下载PDF
职称材料
导出
摘要
日矿金属宣布,该公司已在矶原工厂成功开发出了直径为450mm的搬运测试晶圆,将于2008年以后正式开始销售。
出处
《机电工程技术》
2007年第12期8-8,共1页
Mechanical & Electrical Engineering Technology
关键词
晶圆
测试
直径
开发
金属
多晶硅
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
O157.5 [理学—基础数学]
引文网络
相关文献
节点文献
二级参考文献
0
参考文献
0
共引文献
0
同被引文献
0
引证文献
0
二级引证文献
0
1
谷芳芳,蓝师义.
具有固定交角的准晶圆模式与可积系统[J]
.高校应用数学学报(A辑),2010(2):155-162.
被引量:1
2
日本和法国科学家利用倏逝波提升LED的亮度[J]
.中国照明电器,2009(4):42-42.
3
唐国春,井彩霞.
现代排序论应用[J]
.自然杂志,2015,37(2):115-120.
被引量:5
4
倏逝波提升LED亮度[J]
.激光与光电子学进展,2009,46(5):8-8.
5
韩文彬,冯涓,武园浩,段文睿.
晶圆边缘离子平均入射角度数值模拟研究[J]
.真空科学与技术学报,2015,35(2):231-237.
6
Alexander N. Chaika,Olga V. Molodtsova,Alexei A. Zakharov,Dmitry Marchenko,Jaime Sanchez-Barrig,Andrei Varykhalov,Igor V. Shvets,Victor Yu. Aristov.
Continuous wafer-scale graphene on cubic-SiC(O01)[J]
.Nano Research,2013,6(8):562-570.
7
孙国胜,刘兴昉,王雷,赵万顺,杨挺,吴海雷,闫果果,赵永梅,宁瑾,曾一平,李晋闽.
Multi-wafer 3C—SiC heteroepitaxial growth on Si(100) substrates[J]
.Chinese Physics B,2010,19(8):614-618.
被引量:1
8
耿娜,江志斌.
一种基于随机规划的晶圆制造产能规划方法[J]
.上海交通大学学报,2006,40(11):1935-1938.
被引量:4
9
SEMI:2008年晶圆厂产能增长率5%[J]
.中国集成电路,2008,17(12):10-10.
10
Ralph Spicer,Jeff Hawthorne,Darryl Peters,Robert Newcomb.
控制工艺诱导电荷提高生产力[J]
.集成电路应用,2009,26(5):24-27.
机电工程技术
2007年 第12期
职称评审材料打包下载
相关作者
内容加载中请稍等...
相关机构
内容加载中请稍等...
相关主题
内容加载中请稍等...
浏览历史
内容加载中请稍等...
;
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部