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辐照对IGBT特性的影响
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摘要
简述了中子辐照对IGBT特性的影响,给出了器件在中子辐射注量高达1013n/cm2时的实验结果。实验发现,随着中子注量的增加,开关时间缩短、阈值电压漂移。对于所研究的注量范围,所观察的效应是由于IGBT少子寿命减少造成的,而不是由于有效掺杂浓度变化所致。
作者
袁寿财
机构地区
西安电力电子技术研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第4期26-30,共5页
Semiconductor Technology
关键词
IGBT
辐照
开关时间
阈值电压
MOSFET
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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半导体技术
1997年 第4期
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