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多孔硅薄膜的红光激发上转换荧光特性
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摘要
测量了用电化学腐蚀法制备的多孔硅(PS)薄膜红光(600~800nm)激发下的光致发光(PL)谱和光致发光激发(PLE)谱,结果表明PS膜具有良好的上转换荧光特性,并随着存放时间的延长在一定期限内峰值强度有明显的增强。这种非线性光学响应的增强被认为与空间量子限制效应作用下局域束缚激子被激发有关。
作者
王兼善
王水凤
王平
曾庆城
机构地区
南昌大学物理系计算中心
南昌大学物理系材料科学研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第4期31-33,共3页
Semiconductor Technology
基金
南昌大学基础理论研究资助
江西省自然科学基金
关键词
多孔硅
上转换荧光
蓝光发射
分类号
TN204 [电子电信—物理电子学]
引文网络
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半导体技术
1997年 第4期
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