期刊文献+

改进工艺的1000A/2500V逆阻型GTO

下载PDF
导出
摘要 论述了1000A、2500V大功率逆阻型可关断晶闸管(GTO)的基本设计原则,给出了主要工艺特征和元件的开关特性。采用改进的扩散工艺、掺氯氧化(TCE)、高能电子辐照技术和湿法凹槽门极挖槽技术,使逆阻型GTO的参数折衷和少子寿命分布达到了最佳化,从而获得了具有优良开关特性的GTO元件。
出处 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第4期39-42,共4页 Semiconductor Technology
  • 相关文献

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部