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改进工艺的1000A/2500V逆阻型GTO
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摘要
论述了1000A、2500V大功率逆阻型可关断晶闸管(GTO)的基本设计原则,给出了主要工艺特征和元件的开关特性。采用改进的扩散工艺、掺氯氧化(TCE)、高能电子辐照技术和湿法凹槽门极挖槽技术,使逆阻型GTO的参数折衷和少子寿命分布达到了最佳化,从而获得了具有优良开关特性的GTO元件。
作者
张昌利
陈治明
机构地区
西安电力电子技术研究所
西安理工大学
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第4期39-42,共4页
Semiconductor Technology
关键词
电力半导体器件
可关断晶闸管
大功率
逆阻型
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
TN342.4 [电子电信—物理电子学]
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半导体技术
1997年 第4期
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