期刊文献+

用于亚65nm刻蚀的含硅材料 被引量:2

下载PDF
导出
摘要 随着景深和光刻胶薄膜厚度的不断减小,在未来光刻方案中所用的含硅材料应当提供抗刻蚀的选项。
机构地区 Dow Coming Corp.
出处 《集成电路应用》 2007年第11期38-41,共4页 Application of IC
  • 相关文献

同被引文献5

引证文献2

二级引证文献4

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部