东芝正在研发10nm制程闪存技术

东芝公司在美国华盛顿举行的国际电子元件大会（International Electron Devices Meeting，IEDM）上宣布，他们已经为10nm制程闪存开发出了一种新的双隧道层技术，有望在未来实现超过100Gb的存储密度，比目前的技术领先4代。