光生电压谱方法对ZnSe/GaAs异质结导带偏移的研究

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摘要光生电压谱方法对ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ异质结导带偏移的研究谌达宇王建宝靳彩霞陆日方孙恒慧（复旦大学应用表面物理国家重点实验室，李政道综合物理实验室）对宽禁带ⅡⅥ族半导体异质结、量子阱和超晶格材料的研究是人们感兴趣的课题。由于ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ异质结导带...

作者谌达宇王建宝靳彩霞陆日方孙恒慧

出处《电子显微学报》 CAS CSCD 1997年第4期389-390,共2页 Journal of Chinese Electron Microscopy Society

关键词砷化镓硒化锌异质结异常偏移光生电压谱

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电子显微学报

1997年第4期

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