磁控溅射a-Si/Ni多层膜的研究

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摘要利用超高真空多靶磁控溅射设备制备ａＳｉ／Ｎｉ多层膜，经ＸＰＳ和Ｒａｍａｎ谱的分析研究表明：在所取工艺参数条件下制备的ａＳｉ／Ｎｉ多层膜为周期性的成份调制结构。以特殊的表面电极结构。

作者张硕虎志明吴兴惠李燕卿王正昌

机构地区云南大学物理系云南民族学院物理系

出处《电子显微学报》 CAS CSCD 1997年第4期407-408,共2页 Journal of Chinese Electron Microscopy Society

关键词非晶半导体金属超晶格磁控溅射半导体薄膜

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电子显微学报

1997年第4期

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