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PECVD制备光致可发绿光的α—SiC:H薄膜
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摘要
利用等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)方法,以硅烷和乙烯为反应气体源在适当淀积条件下制备出在紫外光激发下可发绿光(光致发光谱峰值波长约为532nm)的高品质α-SiC:H薄膜。本文主要报道该发光薄膜的红餐吸收谱(FTIR)、紫外及可见光透射谱一光学带隙、光致发光谱、电子自旋共振(ESR)和电学性能的测试结果并进行讨论。
作者
陈长清
杨立新
机构地区
中国科学院上海冶金研究所
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第4期245-249,共5页
Semiconductor Optoelectronics
关键词
半导体材料
晶态碳化硅
薄膜
PECVD法
分类号
TN304.24 [电子电信—物理电子学]
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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1
Liu Y J,Mater Sci Eng,1996年,39卷,188页
2
陈光华,卢阳华.
制备参数和退火对a-C∶H膜光学性质的影响[J]
.Journal of Semiconductors,1996,17(11):846-851.
被引量:1
3
周亚训.
非晶硅碳薄膜发光二极管的研究现状及趋势[J]
.固体电子学研究与进展,1994,14(3):214-220.
被引量:1
4
陈治明,发光学报,1990年,11卷,4期,391页
5
朱琼瑞,非晶态半导体(译),1985年
二级参考文献
6
1
周亚训,陈培力,王晓东,白贵儒.
非晶硅碳薄膜发光二极管发光的热致猝灭[J]
.发光学报,1993,14(2):159-164.
被引量:2
2
陈治明,孙国胜,高勇.
两种非晶碳化硅薄膜发光二极管[J]
.发光学报,1990,11(4):319-326.
被引量:1
3
Tang X M,Phys Rev B,1993年,48卷,10124页
4
Tzeng Y,Applications of Diamond Films and Related Materials,1991年
5
张仿清,张亚非,陈光华.结构的蓝白色电致发光[J]半导体学报,1987(04).
6
何宇亮等.非晶态半导体物理学[M]高等教育出版社,1989.
1
有问必答[J]
.消费电子,2014(5):96-96.
2
邸建华.
GaP(100)衬底上lnxGa1—xP的气体源分子束外延生长特性及其LED应用[J]
.发光快报,1995,16(5):14-16.
3
ZnSe和ZnSe:N的气体源分子束外延生长[J]
.发光快报,1994,15(4):47-51.
4
邸建华.
氘退火对SiO2/Si(100)界面陷阱的影响以及超薄膜SiO2的电子自旋共振[J]
.发光快报,1993,14(6):50-52.
5
乐生.
ECR等离子体和锗的热氧化机制[J]
.等离子体应用技术快报,1995(7):17-18.
6
邱勇,张德强,刘晓喧,解志良.
有机电致发光器件的研制及其性能测试[J]
.清华大学学报(自然科学版),1997,37(12):69-70.
被引量:4
7
本期显示术语——发光二极管(LED)[J]
.现代显示,2008(6):64-64.
8
赵永军,王民娟,杨拥军,梁春广.
PECVD SiN_x薄膜应力的研究[J]
.Journal of Semiconductors,1999,20(3):183-187.
被引量:22
9
杨俊林,陆道惠,徐广智.
共胶体系光反应产生的自由基研究[J]
.波谱学杂志,1994,11(1):107-111.
被引量:2
10
海底火虫发绿光[J]
.大自然探索,2009(6):4-4.
半导体光电
1997年 第4期
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