高密度快速EEPROM

快速EEPROM是八十年代末期问世的一类新型非易失性半导体存贮器件(可参见本刊1992年第6期“非易失性半导体存贮器”一文)。经过几年的发展,此类器件的性能又有很大改进,特别是其集成密度的迅速提高,使得单位存贮单元的成本大为降低,据称目前已同常用的DRAM器件相当,因而更进一步拓展了此类器件潜在的应用领域。现有快速EEPROM器件容量多在256Kbit以上,高密度快速EEPROM则系指单片容量在16Mbit以上者(目前已有32Mbit的产品,并已着手开发64Mbit的新一代器件)。就其内部结构而言,常见者有或非型和与非型两种,另外还有几种较为少见的类型,各种类型器件的功能特性亦各有所不同。本文将从分类、性能、特点及应用等几个方面,对高密度快速EEPROM器件作一简要的介绍。