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NEC电子新型P沟道功率MOSFET

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摘要和NP系列的其他产品一样，新产品按照AEC-Q101流程制造，额定温度为175℃，纯锡电镀管脚完全符合RoHS要求。雪崩能量从19mJ至550mJ，因芯片不同而有所差异。

出处《家电科技》 2008年第3期49-49,共1页 Journal of Appliance Science & Technology

关键词功率MOSFET P沟道 NEC 电子额定温度 ROHS 产品

分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学] TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]

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家电科技

2008年第3期

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