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基于FLM3135-18F的S波段微波功率放大器设计

Design of S-band microwave power amplifier based on FLM3135-18F
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摘要 介绍了基于阻抗内匹配GaAs FET微波场效应管FLM3135-18F全固态线性高功率放大器的设计,介绍了功率放大器系统原理以及FLM3135-18F。 A multi-stage linear high power amplifier based on FLM3135-18F （a GaAs FET Internally Matched）is designed.The principle of the power amplifier system is introduced,and the features of FLM3135-18F are given.
作者 董霖 刘培国 谭渊 张晓发
机构地区 湖南长沙国防科技大学微波中心
出处 《国外电子元器件》 2008年第2期10-12,共3页 International Electronic Elements
关键词 功率放大器 微波场效应管 线性 超高频 FLM3135—18F power amplifier microwave FET linear UHF FLM3135-18F
分类号 TN97 [电子电信—信号与信息处理]
  • 相关文献

参考文献4

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  • 2张晓发,王超,袁乃昌,万志坤.UHF宽带线性功率放大器设计[J].现代雷达,2006,28(10):79-81. 被引量：6
  • 3Berghoff. G.,Bergault. E.,Huyart. B,Jallet. L. Automated characterization of HF power transistors by source-pull and multiharmonic load-pull measurements based on six-port techniques. IEEE Trans MTT, 1998,46 (12): 2068-2073.
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二级参考文献5

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共引文献5

国外电子元器件
2008年 第2期

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