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室温电抽运硅基ZnO薄膜的随机激光
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摘要
在硅衬底上制备了基于ZnO多晶薄膜的金属-绝缘层-半导体(MIS)器件,该MIS器件在室温下被施以不断增大的正向偏压时,来自于ZnO薄膜的紫外发光从自发辐射转变为受激辐射,并产生随机激光。
作者
马向阳
陈培良
李东升
章圆圆
杨德仁
机构地区
浙江大学硅材料国家重点实验室
出处
《激光与光电子学进展》
CSCD
北大核心
2008年第2期7-7,共1页
Laser & Optoelectronics Progress
关键词
硅基
ZNO薄膜
电抽运
随机激光
分类号
TN304.21 [电子电信—物理电子学]
TN304.24 [电子电信—物理电子学]
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激光与光电子学进展
2008年 第2期
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