室温电抽运硅基ZnO薄膜的随机激光

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摘要在硅衬底上制备了基于ZnO多晶薄膜的金属-绝缘层-半导体(MIS)器件,该MIS器件在室温下被施以不断增大的正向偏压时,来自于ZnO薄膜的紫外发光从自发辐射转变为受激辐射,并产生随机激光。

作者马向阳陈培良李东升章圆圆杨德仁

机构地区浙江大学硅材料国家重点实验室

出处《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2008年第2期7-7,共1页 Laser & Optoelectronics Progress

关键词硅基 ZNO薄膜电抽运随机激光

分类号 TN304.21 [电子电信—物理电子学] TN304.24 [电子电信—物理电子学]

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