日本开发直径100mm的高品质碳化硅单晶片

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摘要新日本制铁公司开发出直径为100mm的高品质碳化硅（SIC）单晶片。该晶片将导致器件通电不良的微管缺陷控制在1个／cm^2以下，无微管区域在90％以上。

作者杨晓婵（摘译）

出处《现代材料动态》 2008年第1期8-8,共1页 Information of Advanced Materials

关键词新日本制铁公司硅单晶片碳化硅品质直径开发缺陷控制微管

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现代材料动态

2008年第1期

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