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金属线刻蚀工序光刻胶剥离工程中金属颗粒(Cu)析出案例调查及解决方案
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摘要
在现今大规模集成电路制造过程中,某些Memory,LCD产品的金属线刻蚀工序,在刻蚀生成聚合物的洗净过程中容易产成金属颗粒(主要是Cu颗粒)。对其工艺流程因素,机台硬件因素,产生机理进行了调查,得出了结论,并提出了有效的解决方案。
作者
陈帆
戎蒙恬
机构地区
上海交通大学电子工程系
出处
《黑龙江科技信息》
2008年第8期27-27,178,共2页
Heilongjiang Science and Technology Information
关键词
光刻胶剥离
聚合物
CU
颗粒析出
刻蚀
电迁徙
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
TB333 [一般工业技术—材料科学与工程]
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