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HOLLIAS-LEC G3 PLC在SiC晶体生长炉控制系统中的应用
被引量:
2
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摘要
作为一种新型的半导体材料.SiC(碳化硅)以其优良的物理化学特性和电特性成为制造短波长光电子器件、高温器件、抗辐照器件和大功率/高额电子器件最重要的半导体材料。特别是在极端条件和恶劣条件下应用时.SiC器件的特性远远超过了Si器件和GaAs器件。
作者
王国锋
机构地区
北京和利时系统工程股份有限公司
出处
《世界仪表与自动化》
2008年第1期42-43,共2页
International Instrumentation & Automation
关键词
SiC晶体生长炉
控制系统
PLC
分类号
TN304.24 [电子电信—物理电子学]
V476.2 [航空宇航科学与技术—飞行器设计]
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世界仪表与自动化
2008年 第1期
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