摘要
详细分析了适用于ＶＬＳＩ／ＵＬＳＩ设计的深亚微米ＢＳＩＭ２ＭＯＳ器件模型，并在深入讨论短沟道ＭＯＳ器件物理效应的基础上，对沟道长１μｍ栅氧化层厚度２５ｎｍ的ｎＭＯＳＦＥＴ进行了测试和ＢＳＩＭ２模型参数的提取，且对结果进行了分析和讨论。结果表明，ＢＳＩＭ２具有精确、参数易提取、计算速度快的特点，是ＶＬＳＩ／ＵＬＳＩ模拟设计的重要工具之一。
A deep submicrometre MOS device model BSIM2 is analyzed in this paper.Based on the discussion of physical effects of short channel devices,a nMOSFET with channel length 1 μm and gate oxides thick ness 25 nm is measured and its BSIM2 parameters are extracted.The results are analyzed,which show that BSIM2 is one of the important tools for VLSI/ULSI design.
出处
《电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第5期487-491,共5页
Journal of University of Electronic Science and Technology of China
基金
电子部预研基金
关键词
深亚微米
集成电路
计算机辅助设计
VLSI/ULSI
deep submicrometre
device model
parameter extraction
integrated circuits computeraid design
