氮化镓薄膜制备技术

该氮化镓薄膜制备技术以高纯镓和氮气作原物质，采用双流供气方式，向沉积区输送经过离子化的具有化学活性的反应气体，在较低温度（500～600℃）下，通过载能镓离化团簇束和N＋离子束直接在衬底进行化学反应生成氮化镓晶体薄膜。