横向功率器件及其结终端保护技术

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摘要横向功率器件及其结终端保护技术ＬａｔｅｒａｌＰｏｗｅｒＤｅｖｉｃｅｓａｎｄＴｈｅｉｒＪｕｎｃｔｉｏｎＴｅｒｍｉｎａｔｉｏｎＴｅｃｈｎｉｑｕｅｓ西安交通大学唐本奇高玉民罗晋生（西安７１００４９）１前言横向功率器件及其结终端保护技术的发展，并不完全等同...

作者唐本奇高玉民罗晋生

机构地区西安交通大学

出处《电力电子技术》 CSCD 北大核心 1997年第3期94-96,共3页 Power Electronics

基金国家自然科学基金

关键词功率晶体管横向功率器件结终端保护技术

1武建民,祝伟,马士让,李丽.LDMOS器件的几种新技术及其发展趋势[J].科技资讯,2011,9(35):1-1. 被引量：1
2陈利,李开航,郭东辉.高压功率MOSFET结终端保护技术及其组合优化设计[J].现代电子技术,2006,29(11):71-74. 被引量：1
3殷丽,王传敏.高压功率FRED结终端保护技术及其组合优化设计[J].电力电子,2010(2):51-55.
4高玉岭：激光电视将成为现有电视市场的颠覆者[J].数字家庭,2016,0(7):28-29.
5张发生,陈育林.对拥有结终端保护的高压4H-SiC PIN二极管的研究[J].固体电子学研究与进展,2012,32(3):225-229. 被引量：2
6郭宇锋,李曼,杨可萌,夏晓娟,吉新村,张长春.SOI横向功率器件横向耐压技术的研究进展[J].南京邮电大学学报（自然科学版）,2015,35(5):11-19.
7张发生,李欣然.对具有结终端保护的4H-SiC肖特基势垒二极管的研究[J].中南林业科技大学学报,2010,30(5):179-183. 被引量：1
8张珺,郭宇锋,黄示,姚佳飞,林宏,肖建.电荷共享效应的RESURF横向功率器件击穿电压模型[J].应用科学学报,2014,32(2):209-214.
9郭宇锋,花婷婷.任意纵向变掺杂横向功率器件二维耐压模型[J].南京邮电大学学报（自然科学版）,2010,30(5):11-15. 被引量：1
10刘海涛,陈启秀.横向高压功率器件的进展[J].微电子学,1998,28(3):145-151.

电力电子技术

1997年第3期

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