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YSZ薄膜的溶胶凝胶法制备及其电导性能 被引量:4

THE PREPARATION OF YSZ FILMS BY SOL GEL METHOD AND THEIR ELECTRICAL CONDUCTIVITY
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摘要 应用溶胶凝胶方法制备了YSZ薄膜。通过XRD,SEM和低频阻抗分析仪等分析手段,研究了YSZ薄膜的相结构、形貌特征及其电导性能。结果表明:应用溶胶凝胶方法制备的YSZ薄膜经800℃以上热处理后形成完整的立方相结构。随着烧结温度的升高,薄膜表面变得致密,气孔明显减少。至1050℃时,薄膜表面光滑,无裂纹,无针孔,圆球形的小颗粒均匀分布。薄膜与衬底的结合紧密,薄膜厚度均匀,膜厚约为1.0μm。阻抗谱分析结果表明:YSZ薄膜的阻抗谱是一个完整的半圆,圆心稍低于实轴。在100~1000℃温度范围内,YSZ薄膜的电导率随着温度的升高而增加,且Arrhenius曲线在280℃和500℃处分别出现两次转折。 YSZ films are prepared by sol gel method. The phase structure, microstructure and electrical conductivity of YSZ films are studied by using XRD, SEM and LF(low frequency)impedance meter. The results show that the YSZ films prepared by sol gel method must be calcined at a temperature above 800℃ in order to form perfectly cubic phase structure. The film surface densifies and pores decrease with the increase of heating temperature.At 1050℃, the film surface becomes smooth, free of cracks and pores, and the spherical grains distribute uniformly. The film and substrate combine firmly,the thickness of film is about 1.0 μm. Impedance spectra analysis shows that the impedance spectra of YSZ films are well defined semicircles with the center below the real axis. The conductivity increases with the testing temperature increasing in the range between 100℃ and 700℃, and the slope of Arrhenius curve varies twice at 280℃ and 500℃.
出处 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第4期440-446,共7页 Journal of The Chinese Ceramic Society
关键词 溶胶凝胶法 电导率 YSZ薄膜 陶瓷半导体 sol gel method,yttrium stabilized cubic zirconia films,impedance spectra, conductivity
  • 相关文献

参考文献6

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  • 2喻维杰,张裕恒,彭定坤,孟广耀,曹传宝.PCVD法制备ZrO_2和YSZ薄膜[J].化学学报,1993,51(12):1164-1169. 被引量:9
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  • 5周东祥,半导体陶瓷及应用,1991年,241页
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二级参考文献5

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  • 2王春林,薄膜科学与技术,1990年,3卷,19页
  • 3哈维杰,化学学报,1993年,51卷,12期,1164页
  • 4Liu Y S,J Electrochem Soc,1990年,137卷,12期,3960页
  • 5林祖--,快离子导体,1983年

共引文献11

同被引文献43

引证文献4

二级引证文献23

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