东芝开发出新的NAND闪存

东芝为巩固在高性能、高密度NAND闪存开发和制造领域的领先地位，于近日宣布成功开发出专用于16-Gigabit（Gb）NAND闪存芯片的新技术，这款闪存采用43纳米工艺技术制造，该技术是与美国加利福尼亚州米尔皮塔斯市的SanDisk公司共同开发的。这种新型芯片技术已于今年2月6日在旧金山举行的2008年度国际固态电路大会（ISSCC）上进行过详细报告。