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Ⅲ族氮化物宽带隙半导体的干腐蚀
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职称材料
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作者
邓志杰
出处
《有色与稀有金属国外动态》
1997年第9期1-2,共2页
关键词
Ⅲ族氮化物
宽带隙
半导体
干腐蚀
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
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1
邓志杰(摘译).
下一代逻辑栅堆栈的高k腐蚀性能[J]
.现代材料动态,2009(6):1-2.
2
制版、光刻、腐蚀与掩模工艺[J]
.电子科技文摘,1999(5):38-38.
有色与稀有金属国外动态
1997年 第9期
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