摘要
设备制造商和晶圆厂在运营上一直在寻找降低热预算的方法,这样可以提高生产率,降低原材料、设备以及能源的消耗。例如:对于某些外延工艺,工程人员设法在降低反应温度的同时,满足薄膜性能的苛刻要求。这意味着外延工艺将在更快的过程转换中完成,而不是像很多年前,必须将反应腔温度稳定在1000℃以上。然而,随着反应温度的降低,工程人员也发现,在反应腔、压力容器,晶圆输送盒,甚至晶圆上出现了以前没有过的污染物。因此,用户需要开发出可以密切监控污染物的检测方法。
出处
《集成电路应用》
2008年第3期45-45,共1页
Application of IC