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32纳米:光刻、晶体管技术的变革 被引量:2

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摘要 由45纳米过渡到32纳米技术节点,除了可能在一些关键的材料方面发生改变,另一个主要的变化是在关键工艺层中采用双重成像光刻技术。何去何从,成本因素和产品需求将起到决定性的作用。
作者 Laura Peters
机构地区 Lead Technical Editor
出处 《集成电路应用》 2008年第3期50-55,共6页 Application of IC
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