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IC中100纳米以下栅层叠技术
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摘要
随着半导体器件特征尺寸的不断微缩(Scaling),大量的新材料、新技术、新工艺以及新结构在集成电路的设计和制造中不断涌现。本文对近年来在100纳米以下半导体逻辑电路中普遍使用的栅层叠技术(gate stack)进行简要介绍,包括栅氧化层、氧化层的掺杂、掺杂元素的激活以及栅电极生长的集成工艺技术。
作者
赵智彪
机构地区
应用材料(中国)公司
出处
《集成电路应用》
2008年第3期96-96,共1页
Application of IC
关键词
技术
层叠
纳米
半导体器件
IC
栅氧化层
集成工艺
掺杂元素
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
TE345 [石油与天然气工程—油气田开发工程]
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集成电路应用
2008年 第3期
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