电力电子器件绝缘栅双极晶体管的应用与保护(续完)

3．2 IGBT栅极与发射极并接电阻R1 当IGBT栅极与发射极呈开路时，而在其集电极与发射极之间加上电压，随着集电极电位的变化，由于器件是一种MOS栅器件有其特征电容CRES（反转电容）存在（CRES=CCG），使得栅极电位升高，引起IGBT的dv/dt开通，则C—E有电流流过。这时若集电极和发射极处于高压状态，可能会使IGBT发热甚至损坏。