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电路芯片新突破

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摘要 美国宇航局的研究人员设计并制造了一种新型硅碳化合差分放大集成电路芯片。这种芯片在500%的高温下,能连续工作超过4000小时。与此前研制的增加100个工作时的电路芯片相比,新型硅碳化合差分放大集成电路芯片的研制成功可谓是一项重大突破。以前研制的这种集成电路芯片,在高温下工作,最多不能超过几小时就降级或失灵了。
出处 《军民两用技术与产品》 2008年第1期16-16,共1页 Dual Use Technologies & Products
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