钛酸锶缺陷化学研究进展被引量：4

The Development of Studies on the Defect Chemistry of SrTiO 3

下载PDF

导出

摘要综述了未掺杂及掺杂钛酸锶的缺陷、钛锶比的影响以及钛酸锶的缺陷化学热力学等方面的研究进展。 This review paper discusses the development of studies on the defects of undoped and doped SrTiO 3、 effect of Ti/Sr ratio and the thermodynamics of defect chemistry.

作者孙献忠赵景畅鲍慈光杨宗璐

机构地区云南大学化学系

出处《云南化工》 CAS 1997年第2期9-12,20,共5页 Yunnan Chemical Technology

基金云南省教委应用基础研究基金

关键词钛酸锶缺陷掺杂剂晶体陶瓷半导体 strontium titanate material defect dopant

分类号 TN304.82 [电子电信—物理电子学]

引文网络
相关文献

同被引文献23

1梁崇,杨德安,赵巍,徐廷献.受主掺杂对钛酸锶氧敏传感器的影响[J].硅酸盐通报,2004,23(4):76-78. 被引量：4
2王静,甘国友,严继康,白桂丽,郭中正.掺杂对钛酸锶压敏陶瓷性能的影响[J].陶瓷学报,2005,26(2):80-83. 被引量：4
3王爱坤,关荣华,周国香,何文辰.利用慢度曲面及偏振态研究晶体的铁弹相变[J].华北电力大学学报（自然科学版）,2006,33(1):110-112. 被引量：2
4孙秀府,郭瑞松,李娟,赵迎珂,张君娣.Y掺杂SrTiO_3阳极催化剂材料性能研究[J].电源技术,2006,30(4):282-284. 被引量：5
5YIN Ming-zhi.Science Letters:Chemically processed Nb-doped SrTiO_3 films and properties[J].Journal of Zhejiang University-Science A(Applied Physics & Engineering),2006,7(8):1436-1439. 被引量：6
6孙秀府,郭瑞松,李娟.La掺杂SrTiO_3阳极材料性能研究[J].电源技术,2006,30(10):842-844. 被引量：5
7陈维,王冲,陈寿田.MgTiO_3对SrTiO_3-Bi_2O_3nTiO_2系统的微观结构和介电性能的影响[J].西安交通大学学报,1997,31(4):6-11. 被引量：8
8Ji H M, Liang H, Hao J J. Inflluence of Li2CO3-SiO2 Additive on the properties and processing of double function SrTiO3-based low voltage varistor ceramics [J]. Trans Tianjin Univ, 2001, 7(2): 128-130.
9Kingary W D. Introduction to Ceramics [M]. New York: A Wiley-Interscience, 1976. 486-501.
10P Bao,T J Jackson,X Wang,M J Lancaster.Barium strontium titanate thin film varactors for room-temperature microwave device applications[J].Journal of Physics D: Applied Physics.2008(6)

引证文献4

1周国香,周倩倩,李佳,高雅慧.SrTiO_3晶体铁弹相变的研究[J].河北工业大学学报,2013,42(6):68-71. 被引量：2
2朱乐平,曹全喜,徐林海.环形钛酸锶元件电性能的控制研究[J].电子元件与材料,2005,24(8):23-25. 被引量：1
3常亮亮.钛酸锶掺杂改性研究进展[J].材料开发与应用,2014,29(1):89-93. 被引量：7
4黄建洧,张其土,李洁.高性能SrTiO_3基高压瓷介电容器材料[J].电子元件与材料,2002,21(12):27-28. 被引量：7

二级引证文献17

1宿元斌,孙丽昙,杨志坚,范坤泰.低压压敏电阻器的研究进展[J].电子元件与材料,2010,29(6):74-78. 被引量：15
2谢冰,章少华,吴宇梅.掺杂物对瓷介电容瓷料性能的影响[J].绝缘材料,2005,38(3):36-37.
3谢冰,章少华,李丽,胡冰蜂.MnCO_3和CuO对中高压电容瓷料介电性能的影响[J].硅酸盐通报,2005,24(6):37-39. 被引量：1
4肖军,张启龙,杨辉,王焕平.新型BST基高压电容器陶瓷[J].电子元件与材料,2006,25(11):47-49. 被引量：2
5彭家根,王峰平,游小凤.高压电容器用铁电陶瓷[J].电子元件与材料,2006,25(12):16-19. 被引量：3
6许英伟,庄志强.中高压陶瓷电容器研究与发展[J].陶瓷学报,2008,29(1):68-73. 被引量：4
7何伟,李斌,张其土.低介电常数无铅高压陶瓷电容器材料[J].材料科学与工程学报,2008,26(2):281-283. 被引量：3
8刘冠芳,周芳,施杰,李晋.钛酸锶陶瓷烧结的研究进展[J].绝缘材料,2009,42(3):23-26. 被引量：5
9庞文善,刘世丰.MgO包覆SrTiO3基复合陶瓷的介电性能研究[J].中国科技博览,2015,0(16):400-400.
10彭彩云,马梅,李红梅,张航,张文蕾,张丽丽.Bi掺杂SrTiO_3的电子结构第一性原理研究[J].伊犁师范学院学报（自然科学版）,2015,9(2):43-47. 被引量：2

1张志芹.PTC材料的特性及其应用[J].现代物理知识,2000,12(4):27-29. 被引量：1
2张忱.陶瓷材料的自己诊断功能[J].电子材料快报,1995(11):1-2.
3安迪生.热敏电阻器[J].国外传感技术,2000,10(4):131-133.
4王德君,郭淳,桂治轮,李龙土.低电阻率的(Sr,Pb)TiO_3基PTCR陶瓷[J].功能材料,1997,28(6):651-652.
5朱小荣.PTC材料的制造要点[J].广东电子,1990(2):41-49.
6顾禄如,黄仲藏.预烧条件对BaTiO3陶瓷半导体影响[J].电子元件,1994(4):20-22.
7穆家华.PTC元件和PTC产品[J].机电工程,1989,6(5):38-42.
8龚树萍,吕文中,付明,周东祥.铅挥发对（Sr，Pb）TiO_3系材料电特性的影响[J].华中理工大学学报,1995,23(4):69-72. 被引量：2
9宋祥云,马利泰,温树林,王卉,朱祖昌.半导体陶瓷中孪晶的HREM和TEM研究[J].电子显微学报,1990,9(3):197-197.
10史玉玲,孙甬,李鑫.新型陶瓷湿敏元件的研制[J].沈阳工业大学学报,1989,11(2):47-53. 被引量：1

云南化工

1997年第2期

浏览历史

内容加载中请稍等...

钛酸锶缺陷化学研究进展被引量：4

同被引文献23

引证文献4

二级引证文献17

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史

钛酸锶缺陷化学研究进展 被引量：4

同被引文献23

引证文献4

二级引证文献17

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史

钛酸锶缺陷化学研究进展被引量：4