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准分子激光光刻技术及进展综述 被引量:5

Review of excimer laser photolithography technique and its progress
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摘要 从准分子激光的概念及特点引入,概述了以248nm KrF、193nm ArF以及157nm F2准分子激光光刻技术的现状和进展,并探讨了该领域面临的诸多挑战以及解决思路。 By introducing the excimer laser and its features, the current status and the latest progresses of 248 nm KrF, 193 nm ArF and 157 nm F2 excimer laser photolithography techniques are reviewed.And many challenges in these fields and their solutions are also discussed briefly.
作者 王光伟
出处 《天津工程师范学院学报》 2008年第1期1-5,共5页 Journal of Tianji University of Technology and Education
基金 天津市高校科技发展基金项目(20060605)
关键词 准分子激光 激光光刻 刻蚀 集成电路工艺 excimer laser laser photolithography etching IC process
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